Харченко вячеслав проблемы надежности эл компонентов

Харченко вячеслав проблемы надежности эл компонентов

Полный текст:

Аннотация

Рассмотрены проблемы повышения надежности электронных компонентов (ЭК), используемых для производства высокотехнологичной продукции.

На основе анализа литературных данных выделены два направления решения проблемы. Первое направление — отбраковка ЭК на входном контроле с применением специальных методов тестирования, совмещенная с электротермотренировкой по программе испытаний. Такие испытания позволяют выявить компоненты со «скрытыми дефектами», поддельные или контрафактные компоненты, а также компоненты с несовместимыми конструкционными материалами по своим электрофизическим свойствам как между собой, так и с условиями эксплуатации приборов у потребителя. Второе направление обусловлено особенностями создания ЭК с наноразмерными параметрами. В этом случае при проектировании приборов преимущественно применяют модульный принцип, который позволяет существенно снизить нагрузки на отдельный элемент, а при нарушении работы отдельного модуля он исключается из общей схемы с реконфигурацией структуры ЭК. Показано, что в общем случае проблема повышения надежности является комплексной задачей разработки оптимальной структуры элемента ИС, обоснованного выбора материалов и оптимизации схемотехнических решений с последующими испытаниями на входном контроле у потребителя.

Ключевые слова

Об авторе

доктор техн. наук, ведущий научный сотрудник

Список литературы

1. Хартов,В.В.Космическиепроблемыэлектроники:перед употреблением — взболтать / В. В. Хартов // Электроника НТБ. − 2007. − No 7. − С. 22—25.

2. Урличич, Ю. Отбраковка контрафактной электронной компонентной базы в космическом производстве / Ю. Урличич, Н. Данилин, А. Степанов, Д. Чернов, А. Сашов, С. Белослудцев // Аэрокосмический курьер. − 2007. − No 1. − С. 76—77.

3. Контрафактныекитайскиечипывызываютсбойвработе военной техники США /http://haker.ru/2008/10/07/45479

4. Урличич, Ю. Управление электронной компонентной базой в современных космических системах глобального позиционирования ГЛОНАСС / Ю. Урличич, Н. Данилин, А. Степанов, Д. Чернов,А.Сашов,С.Белослудцев//Аэрокосмическийкурьер. − 2007. − No 1. − С. 70—72.

5. Урличич, Ю. Алгоритм тестирования электронной компонентной базы для космических приборов системы ГЛОНАСС / Ю. Урличич, Н. Данилин, А. Степанов, Д. Чернов, А. Сашов, С. Белослудцев // Аэрокосмический курьер. − 2007. − No1. − С. 73—75.

6. Кобзарь,Д.Процедурныевопросыпримененияэлектронных средств в военной технике: нормативная база и правда жизни / Д. Кобзарь // Стандартизация и сертификация. − 2007. − No 3. − С. 86—98.

7. Урличич, Ю. Противодействие проникновению контрафактных электронных компонентов на опыте создания ГЛОНАСС/ http://www.russianelectroniks.ru/developer−r/review/doc/6683

8. Палкин, С. Поиск аналогов электронных компонентов / С. Палкин // Электронные компоненты. − 2001. − No 6.

9. Чесноков, В. Коммерческие компьютеры окончательно прописываются в военных системах / В. Чесноков // Computer Weekly. − 1998. − No 6. − С. 27—30.

10. Едигеев, Т. Надежность компонентов — от практики к опыту инноваций / Т. Едигеев // Компоненты и технологии. − 2005. − No 8.

11. Федосов, В. В. Повышение надежности радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов при применении электрорадиоизделий, прошедших дополнительные отбраковочные испытания в специализированных испытательных технических центрах / В. В. Федосов, В. Е. Патраев // Авиакосмическое приборостроение. − 2006. − No 10. − C. 50—55.

12. Попов, В. Проблемы и возможности применения коммерческих интегральных схем в военной и космической технике

13. Дидилев, С. Особенности использования золота и алюминия в мощных СВЧ−транзисторах, работающих в импульсном режиме / С. Дидилев // Компоненты и технологии. − 2010. − No 5. − С. 15—18.

14. Гольцова, М. IEDM−2010. Новые процессы, новые материалы / М. Гольцова // Электроника НТБ. − 2011. − No 1. − С. 124—134.

15. Адамов,Д.Учетособенностеймикроэлектронныхнанотехнологий при проектировании СБИС / Д. Адамов // Электроника НТБ. − 2007. − No 7. − С. 98—105.

16. Смирнов, Л. С. Легирование полупроводников методом ядерных реакций / Л. С. Смирнов, С. П. Соловьев, В. Ф. Стась, В. А. Харченко. − Новосибирск: Наука, 1981. − 180 с.

Для цитирования:

Харченко В.А. ПРОБЛЕМЫ НАДЕЖНОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(1):52-57. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-52-57

For citation:

Kharchenko V.A. Problems of Reliability of Electronic Components. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(1):52-57. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-52-57


Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.

Рубрикатор

События

Наши новости

Новости

Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

Едигеев Тимур

Пожалуй, многим производственникам знакома ситуация из нашей жизни. Завод приобретает сварочный автомат для сварки кольцевых и радиальных швов — известный отечественный производитель, хорошие технические данные, качественная сварка. Покупка, монтаж, сдача-приемка. Все идет хорошо. И приходит момент, когда происходит отказ, автомат стоит, по гарантии производителя приезжает специалист, поиск неисправности, замена сгоревшего транзистора-ключа. Пуск установки, техпроцесс снова идет, проходит время и снова отказ того же силового транзистора. Все повторяется. Бывает, чтобы не мучиться и не тратить время на поиски неисправного элемента – неважно, ключевой ли это транзистор или линейка тиристоров – сразу, не глядя, меняется уже печально известный элемент или блок целиком. Пока действует гарантия – это обязательства производителя, а в послегарантийный период – ремонт покрывается эксплуатационными расходами предприятия. Бывает, что где-то так и продолжают менять слабый элемент, а где-то персонал самостоятельно устраняет отказ раз и навсегда.

Другой пример. Промышленное предприятие проектирует, производит и поставляет технологическое оборудование для отечественных производителей и на экспорт. Зарубежный покупатель интересуется оборудованием, читает технические данные, иностранные специалисты приезжают, чтобы воочию оценить установку перед покупкой. Предконтрактные переговоры, “их” вопросы, наши ответы, эксплуатационная документация, схемы. И типичное требование покупателя-иностранца – в электронике должны стоять компоненты ведущих мировых производителей, но ни в коем случае не отечественного и китайского производства.

Два разных случая. В первом наш неприхотливый потребитель мирится с проблемой или решает ее по-своему. Во втором — покупатель не хочет иметь этих проблем и обходит их заранее. В обоих случаях источник проблем один – низкая надежность электронных компонентов. Ведь любой потребитель хочет иметь надежное и безотказное оборудование.

Читайте также:  Какие семена лука лучше

С надежным оборудованием, в том числе и бытовым, мы хорошо знакомы. Вспомним хотя бы наши телевизоры 80-х – 90-х годов. Многие работают и сейчас, но много ли найдется желающих смотреть фильмы на них?

Безусловно, оборудование должно быть не только надежным, но и современным. И продукция большинства современных производителей вполне соответствует уровню “High Performance”, пер. с англ. – 1) высокая эффективность 2) улучшенные рабочие характеристики 3) высокое качество. Наглядный пример – сотовый телефон. Период эксплуатации ограничен одним, максимум двумя годами, по истечении этого времени модель устаревает морально, хотя и продолжает работать.

Сегодня фактор морального старения безоговорочно учитывается всеми производителями высокотехнологичного оборудования еще на этапе проектирования. Соответственно, подбирается или разрабатывается элементная база, которая отработает без отказов весь период жизни изделия. Средняя оценочная продолжительность жизни отдельных компонентов, применяемых в военной и промышленной областях, приведена в табл.1.

Компонент Средняя продолжительность жизни элемента
Запоминающие устройства 9 месяцев
Программируемая логика 1 год
Вентильные матрицы 2 года
Микропроцессоры 2 года
Цифровые сигнальные процессоры 3 года
Логические схемы 6 лет
Линейные элементы 8 лет

Отметим, что средняя продолжительность жизни обычных серийных элементов общего назначения или промышленного применения во много раз ниже, чем это требуется военными программами.

Требования к надежности постоянно растут с увеличением степени интеграции, миниатюризации элементов, снижением их веса, увеличением плотности монтажа. Из диапазона современного оборудования особо выделяются направления, где требования к надежности крайне высоки – это космонавтика, авиация, флот, энергетика, транспорт, связь, машиностроение. И сегодня перед разработчиками стоят проблемы – моральное старение, ограничения рабочего пространства, требования к снижению веса, термические нагрузки, надежность компонентов, общая работоспособность готового изделия. Так на рубеже двадцатого и двадцать первого веков появляется самолет нового поколения. На смену традиционным гидравлическим системам приходит современная электроника. Электронные силовые системы, также как и традиционные гидравлические, встраиваются в крыло и фюзеляж самолета, и также подвержены воздействию экстремальных механических и температурных перегрузок. Несомненно, надежность электронных систем должна соответствовать надежности самолета в целом.

Чем же определяется надежность системы?

Прежде всего, отбором качественных исходных материалов, из которых изготавливаются компоненты. И к этому отбору должны предъявляться особые требования. Рассмотрим, как сегодня ведущие мировые компании подходят к отбору и проверке элементов на примере обычного силового транзистора в корпусе SOT227.

По мнению компании Semelab plc, ведущей европейской компании, специализирующейся в области технических решений, производства, тестирования и аттестации электронных компонентов требуемого уровня надежности (Hi-Rel, Military, Industrial), обычные транзисторы в стандартном корпусе (Рис. 1) не могут обеспечить высокую надежность в принципе.

Обычные транзисторы при испытаниях в критических температурных условиях (квалификационные тесты при температурах от -50 до +150 градусов Цельсия) выходят из строя задолго до завершения всего комплекса тестирования. Испытания включают в себя 1500 циклов, и все отказы транзисторов произошли за первые 250. Рентгенограмма тестируемого транзистора показывает образование пустот и расслоение подложки на месте крепления кристалла. На Рис.2 видно, что части расслоенной подложки остались на обеих половинках корпуса.

Серьезная опасность здесь заключается в том, что некоторые транзисторы могут пройти электрические тесты низкого уровня даже при таком расслоении, когда они уже повреждены, т.к. компаунд еще продолжает удерживать вместе подложку и кристалл. Элементы транзистора внутри компаунда нагреваются по-разному, и из-за их различных температурных коэффициентов расширения (ТКР) смещаются относительно друг друга, при этом происходят разрывы контактов и расслоение подложки.

Детальные исследования, проведенные компанией Semelab plc, доказывают, что обычный корпус транзистора никогда не обеспечит той надежности, которая требуется в современных системах летательных аппаратов.

Соответственно, компания Semelab приняла решение изготовить структуру с совпадающими температурными характеристиками. Была отобрана силуминовая матрица – пластина на основе Al-Si с подложкой из нитрида алюминия AlN с одинаковыми температурными коэффициентами расширения. Для повышения надежности соединения проводников в нижней части использовано специальное защитное покрытие. Компаунд также подобран с учетом требуемого ТКР.

В результате надежность системы достигла требуемого уровня. Новый транзистор успешно прошел все 1500 циклов тестирования. Жесткий военный стандарт Military (MIL) требует, чтобы по завершении всех тестов общая площадь нарушенной структуры кристалла не превышала более 50% его площади. В нашем транзисторе ее доля оказалась менее 1%. На Рис.3 показаны рентгенограммы обычного и нового транзистора после проведения тестов.

Цена нового транзистора, конечно, несколько выше, чем старого, но отношение его цены к продолжительности его жизни показывает его явные несоизмеримые ценовые преимущества перед обычным.

Результаты отбора и проведенных тестов доказывают, что продолжительность безотказной работы транзистора увеличена до такого уровня, когда система может работать безотказно на протяжении 30 лет и более. Такую надежность компонента можно обеспечить только при соответствующем отборе исходных материалов и последующей отбраковке. Здесь компания Semelab plc является законодателем процедур тестирования компонентов.

Процесс отбора и приемки транзистора, выполняемый компанией, в общем случае включает в себя два этапа: приемка корпуса и монтажа, приемка кристалла (Рис. 4, 5).

Чтобы исключить саму возможность брака, все исходные материалы тщательно испытываются и отбираются, и процесс завершается пробной сборкой.

Типовые процедуры отбраковки дискретных компонентов и микросхем, принятые Европейским комитетом электротехнических стандартов компонентов электронных схем (CECC), приведены соответственно на Рис.6 и 7. Серии испытаний включают в себя различные этапы отбора для разных типов приемок готовых компонентов – ESA, Military, Industrial и других.

Каждой партия готовых изделий присваивается свой уникальный код, в котором содержится информация обо всех этапах ее технологической обработки. Процесс отбора кристалла может включать длительные (более 1000 часов) испытания его электрических характеристик в экстремальных условиях. Главная цель этих испытаний – это обеспечение гарантии тог, что кристалл будет работать стабильно в начале этого периода и его свойства останутся неизменными в течение испытательного периода и всего срока службы. Кристаллы и механические детали, предназначенные для работы в “сверхнадежных” отраслях, например, в производстве космических кораблей, подвергаются более тщательной аттестации.

Читайте также:  Чем лучше покрыть полы в квартире

Все компоненты, прошедшие полную аттестацию Европейского комитета электротехнических стандартов компонентов электронных схем (CECC), проходят контроль одного из классов A, B, C и D – от сквозного контроля “партия за партией” до периодического контроля, или могут пройти дополнительную отбраковку на любом из четырех уровней (Рис. 6-7).

Готовая продукция компании отвечает требованиям высокой надежности — это полупроводниковые элементы для авиакосмического комплекса, силовые полупроводниковые элементы и модули, высокочастотные компоненты MOSFET, оптоэлектронные компоненты и системы, специализированные заказные системы и элементы, изготовленные согласно требованиям заказчика. Безусловно, пройдя свои “огонь, воду и медные трубы” тяжелых приемочных испытаний, компоненты десятилетиями работают без сбоев в условиях механических перегрузок, экстремальных перепадов температур, влажности и давления. Компоненты высокой надежности успешно применяются ведущими европейскими и международными космическими программами, авиационными компаниями, армией, флотом, промышленными компаниями – это программы Inmarsat, Artemis, Odissey, Skynet, Globalstar, новый аэробус A380, и др.

Многолетний опыт и инновации компании реализован в широком спектре ее современной продукции, доступной сегодня в России и представленной направлениями:

  • Авиация и космонавтика,
  • Силовая электроника,
  • Высокочастотные компоненты (RF),
  • Оптоэлектроника,
  • Системы.

Продукция Semelab сертифицирована действующими международными стандартами — BS9000, BS EN ISO 9001, CECC 50000, CECC 90000, BSCC QPL approval, DSCC QML approval, ESA SCC 5000, SCC 9000, STANAG и другими стандартами НАТО, Великобритании, Франции, и, безусловно, достойна отечественного потребителя.

С номенклатурой и характеристиками компонентов высокой надежности, а также с процедурами их отбора и приемки можно ознакомиться подробнее непосредственно на сайтах компании Semelab plc (www.semelab.com) и ее представителя в России — компании “Апекс” (www.apls.ru)

В статье использованы материалы, предоставленные компанией Semelab plc.

Другие статьи по данной теме:

Если Вы заметили какие-либо неточности в статье (отсутствующие рисунки, таблицы, недостоверную информацию и т.п.), просьба сообщить нам об этом. Пожалуйста укажите ссылку на страницу и описание проблемы.

ВЫБОР ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ ДЛЯ РОВЕДЕНИЯ ИНДИВИДУАЛЬНОГО ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ

Мишанов Роман Олегович, аспирант, Самарский национальный исследовательский университет имени академика С. П. Королева (443086, Россия, г. Самара, Московское шоссе, 34), mishanov91@bk.ru
Пиганов Михаил Николаевич, доктор технических наук, профессор, кафедра конструирования и технологии электронных систем и устройств, Самарский национальный исследовательский университет имени академика С. П. Королева (443086, Россия, г. Самара, Московское шоссе, 34), kipres@ssau.ru
Перевертов Валерий Петрович, кандидат технических наук, доцент, кафедра наземных транспортно-технологических средств, Самарский государственный университет путей сообщения (443066, Россия, г. Самара, Первый безымянный пер., 18), vperevertov@yandex.ru

Актуальность и цели. Определение электрических параметров интегральных микросхем, изготовленных по КМОП-технологии, для проведения индивидуального прогнозирования (ИП) показателей качества и надежности является важной составляющей процесса прогнозирования надежности, так как от их выбора значительно зависит как корректность прогнозов, так и их точность. При этом выбор параметров должен быть обоснован в соответствии с результатами физико-химических методов исследования отказов ИМС, изготовленных по конкретной технологии. Также немаловажным является учет статистических данных отказов КМОП ИМС.
Материалы и методы. Систематизация информации по видам, признакам, причинам, механизмам отказов, а также возможным дефектам структуры ИМС в совокупности со статистическими данными по отказам позволяет выявить контролируемые параметры КМОП ИМС, несущие информацию о потенциальной надежности изделий. Определение электрических параметров КМОП ИМС, имеющих тенденцию к раннему выходу за установленные пределы и несущих информацию о наиболее вероятных отказах для данной технологии изготовления, позволяет получить необходимую точность прогнозов.
Результаты. Приведенная в работе информация предназначена для определения набора электрических параметров КМОП ИМС для проведе ния ИП в зависимости от предполагаемых дефектов структуры и механизмов отказов, протекающих в структуре ИМС. Также в работе рассматривается влияние поражающих факторов космического пространства, что актуально для КМОП ИМС специального назначения.
Выводы. Изменениям некоторых электрических параметров ИМС соответствует широкий набор возможных причин, механизмов отказов и дефектов. Такие параметры целесообразно использовать в качестве исходных данных для проведения ИП. Установлено, что набор электрических параметров может значительно изменяться при подозрениях на конкретные дефекты при изготовлении ИМС.

надежность, качество, безопасность, отказ, КМОП-микросхема, индивидуальное прогнозирование, электрические параметры, механизм отказов, виды отказов, причины отказов, дефект

1. Абрамов, О. В. Актуальность проблемы обеспечения надежности / О. В. Абрамов // Надежность и качество сложный систем. – 2014. – № 3 (7). – С. 3–7.
2. Абрамов, О. В. Существует ли в нашей стране проблема надежности? / О. В. Абрамов // Труды Международного симпозиума Надежность и качество. – 2014. – Т. 1. – С. 5–6.
3. Авакян, А. А. Закон распределения отказов элементов и систем электроники / А. А. Авакян, А. Г. Дмитриенко // Надежность и качество сложных систем. – 2013. – № 1. – С. 47–53.
4. Tyulevin, S. V. Methods of bipolar microcircuits learning experiment / S. V. Tyulevin, M. N. Piganov, E. S. Erantseva // CEUR Workshop Proceedings. – 2017. – Vol. 1904. – P. 209–213.
5. Саушев, А. В. Структура процесса управления состоянием сложных электротехнических систем / А. В. Саушев // Надежность и качество сложных систем. – 2013. – № 3. – С. 23–30.
6. Готра, З. Ю. Контроль качества и надежность микросхем : учебник для техникумов / З. Ю. Готра, И. М. Николаев. – М. : Радио и связь, 1989. – 168 с.
7. Пиганов, М. Н. Индивидуальное прогнозирование показателей качества элементов и компонентов микросборок / М. Н. Пиганов. – М. : Новые технологии, 2002. – 267 с.
8. Пиганов, М. Н. Прогнозирование надежности радиоэлектронных средств / М. Н. Пиганов, С. В. Тюлевин // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Информатика. Телекоммуникации. Управление. – 2009. – Вып. 1. – С. 175–182.
9. Тюлевин, С. В. Структурная модель индивидуального прогнозирования параметров космической аппаратуры / С. В. Тюлевин, М. Н. Пиганов // Вестник Самарского государственного аэрокосмического университета. – 2008. – Вып. 1. – С. 92–96.
10. Piganov, M. Individual prognosis of quality indicators of space equipment elements / M. Piganov, S. Tyulevin, E. Erantseva // The experience of designing and application of CAD systems in microelectronics (CADSM 2015) : Proceeding XIII international conference. – Ukraine, Lviv, 2015. – P. 367–371.
11. Mishanov, R. Individual forecasting of quality characteristics by an extrapolation method for the stabilitrons and the integrated circuits / R. Mishanov, M. Piganov // The experience of designing and application of CAD systems in Microelectronics (CADSM 2015) : Proceeding XIII international conference. – Ukraine, Lviv, 2015. – P. 242–244.
12. Федоров, В. К. Контроль и испытания в проектировании и производстве радиоэлектронных средств / В. К. Федоров, Н. П. Сергеев, А. А. Кондрашин ; под ред. В. К. Федорова. – М. : Техносфера, 2005. – 205 с.
13. Горлов, М. И. Геронтология кремниевых интегральных схем / М. И. Горлов, В. А. Емельянов, А. В. Строгонов ; отв. ред. Б. И. Казуров. – М. : Наука, 2004. – 240 с.
14. Харченко, В. А. Проблемы надежности электронных компонентов / В. А. Харченко // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. – 2015. – Т. 18, № 1 (69). – С. 52–57
15. ГОСТ 18683.0-83. Микросхемы интегральные цифровые. Общие требования при измерении электрических параметров.
16. ГОСТ 18683.1-83. Микросхемы интегральные цифровые. Методы измерения статических электрических параметров.
17. ГОСТ 18683.2-83. Микросхемы интегральные цифровые. Методы измерения динамических электрических параметров.
18. Иванов, А. О. Экспериментальные исследования радиационной стойкости элементной базы бортовой аппаратуры космических аппаратов / А. О. Иванов, А. Г. Кохановский, Г. В. Кремез, В. П. Лачугин // Труды Военно-космической академии им. А. Ф. Можайского. – 2013. – № 641. – С. 12–18.
19. Пирогов, Ю. А. Повреждения интегральных микросхем в полях радиоизлучения / Ю. А. Пирогов, А. В. Солодов // Журнал радиоэлектроники. – 2013. – № 6. – С. 1–38.
20. Попов, В. Д. Пострадиационный эффект в ИС. Неразрушающий контроль качества ИС / В. Д. Попов // Электроника : Наука, Технология, Бизнес. – 2002. – № 4. – С. 36–41.
21. MIL-STD-883E. Method 1019.5. Ionizing radiation (total dose) test procedure.
22. Романова, М. П. Сборка и монтаж интегральных микросхем : учеб. пособие / М. П. Романова. – Ульяновск : УлГТУ, 2008. – 95 с.
23. Blech, I. A. Electromigration in Thin Aluminum Films on Titanium Nitride / I. A. Blench // Journal of Applied Physics. – 1976. – Vol. 47. – Р. 1203–1208.
24. Black, J. R. Mass transport of aluminum by momentum exchange with conduction electrons / J. R. Black // Proc. IEEE International Reliability Physics Symposium. – 1967. – Р. 148–159.
25. Averbuch, A. Computation for electromigration in interconnects of microelectronics devices / A. Averbuch, M. Israeli, I. Ravve, I. Yavneh // Journal of Computational Physics. – 2001. – Vol. 167. – P. 316–371.
26. Синтез топологии стандартных КМОП ячеек с учетом эффекта электромиграции / В. П. Розенфельд, Л. А. Зинченко, Р. Л. Мазиас, Ю. Г. Смирнов, С. В. Сомов, И. Г. Топузов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2008 : сб. науч. тр. / под общ. ред. А. Л. Стемпковского. – М. : ИППМ РАН, 2008. – С. 120–125.
27. Соколов, В. И. Физические аспекты надежности интегральных схем / В. И. Соколов, С. Н. Лавренко // Физические аспекты надежности интегральных схем : сб. тез. докл. междунар. науч.-техн. конф. – Воронеж, 1993. – С. 42–44.
28. Беренштейн, Г. В. Прогнозирование качества ИС на основе анализа внутренних напряжений / Г. В. Беренштейн, А. М. Дьяченко // Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов : сб. тез. докл. 3-й всес. конф. – Кишинев, 1991. – Ч. II. – С. 136.
29. Грушко, Н. С. Диагностика надежности кремниевых фотоприемников с p-n переходом / Н. С. Грушко, С. В. Бунярский // Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов : сб. тез. докл. 3-й всес. конф. – Кишинев, 1991. – Ч. II. – С. 127.
30. Малинин, А. Ю. Анализ требований к полупроводниковым приборам / А. Ю. Малинин, Ю. Н. Кузнецов, Л. А. Иванютин, Б. В. Кутубидзе // Электронная техника. Сер.: Материалы. – 1978. – Вып. 3. – С. 34–39.
31. Горячев, Н. В. Структура автоматизированной лаборатории исследования теплоотводов / Н. В. Горячев, И. Д. Граб, А. В. Лысенко, Н. К. Юрков // Труды Международного симпозиума Надежность и качество. – 2011. – Т. 2. – С. 119–120.
32. Юрков, Н. К. Технология производства электронных средств : учебник / Н. К. Юрков. – 2-е изд., испр. и доп. – СПб., 2014. – 480 с.
33. Юрков, Н. К. Алгоритм моделирования процессов развития латентных технологических дефектов печатных плат / Н. К. Юрков, И. И. Кочегаров, Е. А. Данилова // XII Всероссийское совещание по проблемам управления ВСПУ-2014 : сб. тр. – М. : Изд-во ИПУ РАН, 2014. – С. 7092–7097.

Название статьи
Авторы
Индекс УДК
Аннотация
Список литературы
Ссылка на основную публикацию
Adblock detector